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使用內(nèi)核耦合內(nèi)存將STM32微控制器的速度提高
當(dāng)處理具有計(jì)算密集型例程和（或）接近實(shí)時(shí)性能要求的項(xiàng)目時(shí)，擁有“閃電般的” RAM通常對(duì)于開(kāi)發(fā)人員而言是一件好事。這是STMicro在其STM32微控制器系列中包含大量?jī)?nèi)核耦合內(nèi)存（CCM）RAM的原因之一。
核心耦合內(nèi)存（CCM）具有高性能和零等待狀態(tài)，允許在從閃存中運(yùn)行固件所需時(shí)間的一小部分時(shí)間內(nèi)執(zhí)行指令。根據(jù)意法半導(dǎo)體， 它被包含在微控制器中，用于涉及“實(shí)時(shí)和計(jì)算密集型例程[包括]數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制回路（開(kāi)關(guān)模式電源，照明），面向現(xiàn)場(chǎng)的三相電動(dòng)機(jī)控制，[和]實(shí)時(shí)DSP（數(shù)字信號(hào)處理）”。
對(duì)于開(kāi)發(fā)人員如何使用CCM的演示，開(kāi)發(fā)人員使用了STM32F303CC開(kāi)發(fā)板，它具有256kB的閃存，40kB的靜態(tài)RAM（SRAM）和8kB的核心耦合內(nèi)存（CCM）RAM。對(duì)于固件，他采用了LZ4壓縮算法作為基準(zhǔn)，并采用了允許在閃存SRAM和CCM RAM上執(zhí)行的自定義CMake。在閃存，SRAM和CCM上以不同的時(shí)鐘速度執(zhí)行LZ4壓縮算法。在默認(rèn)的板時(shí)鐘速度為72MHz且塊大小為8k的情況下，從閃存執(zhí)行LZ4算法的時(shí)間為279到304毫秒。移至SRAM可使運(yùn)行時(shí)間進(jìn)一步縮短至251ms，但切換至CCM則將其進(jìn)一步降低至172ms。為了進(jìn)一步測(cè)試這些限制，工程師對(duì)設(shè)備進(jìn)行了超頻，使其時(shí)鐘速度為128MHz，并再次測(cè)試了所有三個(gè)存儲(chǔ)器的性能。在新的時(shí)鐘速度下，塊大小與以前相同，在CCM上為97ms。